放棄「全能企業」的結構改革

  為了適應全球半導體產業第四次革命——設計與生產分離的趨勢，日本半導體產業掀起了一場擺脫「全能型企業」的結構改革，最典型的案例就是東芝共識和瑞薩電子公司所實施的系列改革。

  東芝是日本最大的半導體廠商，其半導體產品的銷售額也位居全球第三。2011年8月，東芝公布其半導體業務的結構改革方案，其改革的核心目標就是要走向高附加值化，為此，徹底放棄傳統的「全能式」產業結構，把重點轉向半導體前工程，同時，集中精力和資源來開發新一代半導體產品。

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  「集中研發高附加值產品，強化成本競爭力」，這是此次東芝改革的基本方針。改革主要包括五大內容：一是大幅壓縮分立半導體部件（Discrete Semiconductor）業務，確立起高能效半導體為主的業務結構，未來以LED、SiC、GaN等作為公司的研發重點；二是將公司的系統LSI業務一分為二：邏輯LSI業務和模擬圖像IC業務，同時公司轉向無工廠化設計廠商（FabLite），把生產業務模塊轉為外部委託方式；三是半導體存儲業務向更新技術轉型，重點開發三元技術產品，投入所謂MRAM等最新產品；四是統合旗下的HDD與SSD、NAND等三大業務，形成統一的解決方案；五是整合和重組國內生產基地，把原來六大生產基地壓縮為三大基地，關閉北九州、靜岡和千葉等工廠。

  日本半導體代表企業，瑞薩電子的改革頗為引人注目。作為半導體產業的「新興勢力」代表，瑞薩電子是全球最大的MCU廠商。2012年7月，它推出了令業界震驚的改革方案——關閉12座工廠、削減1.4萬名員工。[1]此次大刀闊斧式改革的核心詞是「削減」和「退出」，也就是要大規模「瘦身」的同時，實現向更加專業化轉型。此次改革內容包括五點：一是削減國內6成生產基地，將19個生產基地壓縮至7個，直接解僱員工人數達7000人；二是徹底切割與核心業務無關領域，退出半導體晶片之外的手機半導體業務，為此再解僱5000名員工；三是部分生產「移師海外」，把半導體晶片的組裝與配線等「後工程」轉向海外生產基地，國內原來的9個「後工程」僅保留1個；四是非核心生產採取外部委託方式，非必要特殊技術與設備委託給台灣等企業生產，退出相關業務；五是確立兩大戰略核心——專業MCU和高能半導體產品（Power），前者是汽車與家電相關的核心MCU晶片，瑞薩電子確立了占領全球30%市場份額的目標，後者是開發調節電流電壓的高能效半導體，繼續執牛耳於整個產業。

  圖5-2 東芝公司半導體事業改革框架（2011年）

  資料來源：筆者根據東芝公司主頁相關信息製作。

  總之，放棄傳統IDM模式、脫離「全能企業」成為日本半導體晶片企業戰略調整的關鍵。大幅削減或壓縮相關業務，特別是那些長期不盈利業務，成為此次改革重點。如松下就決定壓縮營業利潤在5%以下的所有業務，特別是對通用型產品採取水平分工方式，不再堅守「大而全」的全生產鏈。此外，政府支持和大企業間合作，也是日本半導體晶片產業轉型改革的重要特徵。

  早在2009年7月，日本政府就出資成立了產業革新機構（INCJ），它實際就是一家日本特色的投資基金，有效填補了日本風險投資資金先天不足的劣勢。在總資產905億日元中，政府出資達820億，超過九成，另有16家民間企業參與投資。不僅如此，由於有日本政府做擔保，該機構還可以從金融機構獲得達8000億日元的融資規模。值得關注的是，該機構並不計較短期盈利，其核心任務就是支持產業創新。該機構創立當年就出現9.8億日元的巨虧，純利潤甚至出現12.92億赤字。[2]